再生キャパシタ・メモリ
再生キャパシタ・メモリ(さいせいー、Regenerative_capacitor_memory)は、キャパシタンスの電気的特性を利用してビットのデータを保存するコンピュータ・メモリの一種である。
保存された電荷は徐々に漏れ出すため、データの損失を防ぐには、これらのメモリを定期的に再生(つまり、読み出して書き換えること、リフレッシュとも呼ばれる)する必要がある。
キャパシタンスの電気的特性を利用してデータを保存する他のタイプのコンピュータ・メモリも存在するが、再生は必要ない。従来、これらはやや実用的でないか(セレクトロン管など[1])、読み取り専用メモリとしてのみ適していると考えられてきた(EPROM、EEPROM/Flash memory[注釈 1]など)。
技術的経緯
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/e2/Atanasoff_Berry_Computer.gif/220px-Atanasoff_Berry_Computer.gif)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/90/Atanasoff-Berry_Computer.jpg/220px-Atanasoff-Berry_Computer.jpg)
最初に作られた再生キャパシタ・メモリは、アタナソフ&ベリー・コンピュータ(1942年)の回転キャパシタ・ドラム・メモリだった。その2つのドラムはそれぞれ30個の50ビット2進数(各1500ビット)を記憶し、60rpmで回転し、1回転ごとに再生された(リフレッシュレート1Hz)。
最初のランダムアクセス再生キャパシタ・メモリは、ウィリアムス管(1947年)であった[2]。 最初の実用的なプログラマブルデジタルコンピュータに搭載されたウィリアムス管1本は、2つの「ページ」に配列された合計2560ビットを保持した。1ページは、基本的なウィリアムズ・キルバーン管の容量である32個の40ビット2進数の配列であった[3]。必要なリフレッシュ・レートは、使用するCRTのタイプによって異なる。
2024年現在のDRAMは再生キャパシタ・メモリである[4]。
注釈
脚注
- ^ “Selectron tube”. Virtual Exhibitions in Informatics. University of Klagenfurt. 2018年1月16日閲覧。
- ^ Rajchman (1946年8月23日). “Lecture 43 - The Selectron”. The 1946 Moore School Lectures. Moore School of Electrical Engineering. 2013年6月6日時点のオリジナルよりアーカイブ。2023年12月11日閲覧。
- ^ “The Manchester Mark 1”. University of Manchester. 2008年11月21日時点のオリジナルよりアーカイブ。2020年6月9日閲覧。 “The Manchester Mark 1 Intermediary Version was based on two double-density Williams-Kilburn Tubes as main store, each with the capacity of two "page"s. A page was an array of 32 * 40 bits, the capacity of a basic Williams-Kilburn Tube”
- ^ Klein. “A History and Future of Memory Innovation”. Semicon China. Micron Technology, Inc.. 2018年1月16日閲覧。
参考文献
- Dekker, I.A.; Nieuwveld, W. A. C. (May 1964). “A capacitor memory for an analogue computer”. Applied Scientific Research, Section B 11 (3–4): 247–254. doi:10.1007/BF02922005.