ショットキー欠陥
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ショットキー欠陥(ショットキーけっかん、英語: schottky defect[1])とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶(NaCl、RbI、CsI など)にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。
ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。 具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。
ただし
:欠陥密度
:比例定数
:空孔の形成に必要なエネルギー。(一般に、物質の融点が低いほど、空孔形成エネルギーは小さい。)
:ボルツマン係数
:絶対温度。(ケルビン単位。)
である。
脚注
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