TMD 2D

Un TMD 2D, TMDC 2D ou TMD monocouche, est un matériau bidimensionnel en dichalcogénure de métal de transition. TMD et TMDC signifient transition metal dichalcogenide, tandis que la mention 2D indique une épaisseur de quelques couches atomiques. Ce sont des composés inorganiques cristallisés semiconducteurs de formule générale MX2, où M représente un métal de transition tel que le molybdène ou le tungstène et X un chalcogène tel que le soufre, le sélénium ou le tellure. Il s'agit de nanomatériaux dans la mesure où leur épaisseur est de l'ordre du nanomètre, une monocouche de disulfure de molybdène MoS2 ayant ainsi une épaisseur d'à peine 0,65 nm. Dans ces structures, une couche d'atomes M est prise en sandwich entre deux couches d'atomes X. Une caractéristique déterminante de ces composés est la présence de gros atomes dans la structure bidimensionnelle, à la différence des dichalcogénures de métaux de transition de la 4e période du tableau périodique, ce qui confère à la structure des propriétés distinctives : le ditellurure de tungstène WTe2 présente ainsi magnétorésistance géante et supraconductivité dans les conditions requises[1].

  • Structure d'une monocouche de MoS2 vue par la tranche (a) et du dessus (b). Les atomes de molybdène sont en noir et les atomes de soufre sont en jaune.
    Structure d'une monocouche de MoS2 vue par la tranche (a) et du dessus (b). Les atomes de molybdène sont en noir et les atomes de soufre sont en jaune.

La découverte du graphène a mis en évidence comment des propriétés nouvelles émergent à partir d'un cristal massif lorsqu'on atteint l'épaisseur d'une monocouche atomique. À l'instar du graphite, les cristaux massifs de TMD sont constitués de feuillets bidimensionnels liés entre eux par des forces de van der Waals. Les monocouches TMD ont cependant des propriétés distinctes des propriétés semimétalliques du graphène :

Ces propriétés font des TMD 2D des matériaux potentiellement utiles aux applications spintroniques[12],[13]. Ils sont souvent combinés avec d'autres matériaux bidimensionnels tels que le graphène et le nitrure de bore hexagonal pour produire des hétérostructures de van der Waals (en), ce qui ouvre des perspectives d'amélioration des propriétés de composants usuels tels que transistors, cellules photovoltaïques, diodes électroluminescentes, photodétecteurs, piles à combustible, photocatalyseurs et capteurs[14].

Structure cristalline et implications

__ Mo4+     __ S2−
Deux couches de MoS2.

Les monocouches de dichalcogénures de métaux de transition (TMDs) sont constitués de deux éléments chimiques — un chalcogène et un métal de transition — arrangés dans trois plans atomiques. Le réseau hexagonal en nid d'abeilles présente une symétrie d'ordre 3 et peut éventuellement contenir un plan de symétrie ou un centre d'inversion[15]. Une structure cristalline de ce type, lorsqu'elle est constituée d'un nombre pair de couches, présente toujours un centre d'inversion, tandis qu'une structure en ayant un nombre impair — comme une monocouche — peut ne pas avoir de centre d'inversion.

Il en découle deux caractéristiques importantes :

Production de TMD monocouches

Exfoliation

L'exfoliation relève d'une approche descendante consistant, comme pour la production du graphène, à traiter un dichalcogénure de métal de transition massif par clivage micromécanique pour en séparer des monocouches, qui sont unies les unes aux autres dans le massif par des liaisons de van der Waals entre atomes de chalcogènes de couches adjacentes, bien plus faibles que les liaisons covalentes qui unissent les atomes de chalcogène et de métal de transtion au sein d'une même couche.

On peut utiliser un ruban adhésif placé sur la surface d'une couche de TMD massif : en retirant le ruban adhésif, des paillettes constituées de quelques monocouches de TMD restent collées sur le ruban et peuvent ensuite être déposées sur un substrat à l'aide de ce ruban : cette technique permet de déposer des paillettes de l'ordre de 5 à 10 µm de diamètre[23].

Il est également possible d'obtenir de grandes quantités de matériaux exfoliés par exfoliation en phase liquide, en mélangeant des TMD avec des solvants et des polymères[24].

Dépôt chimique en phase vapeur

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une autre méthode pour obtenir des dichalcogénures de métaux de transition bidimensionnels[25]. Il a été largement utilisé pour obtenir divers TMD car il peut être adapté facilement à différents types de matériaux. D'une manière générale, la croissance de TMD par CVD est obtenue en plaçant des précurseurs du TMD, généralement un oxyde de métal de transition et un chalcogène pur, dans un four avec le substrat sur lequel le TMD doit être déposé[26]. Le four est chauffé typiquement entre 650 et 1 000 °C avec un gaz inerte, généralement de l'azote ou de l'argon, circulant dans le tube[26]. Certains matériaux nécessitent la présence d'hydrogène comme catalyseur pour leur formation, gaz qu'on peut faire circuler en plus petite quantité que le gaz inerte[27].

Outre le CVD traditionnel, on utilise également le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), qui fait appel à des précurseurs gazeux réagissant à des températures moins élevées, de l'ordre de 300 à 900 °C. L'épitaxie par MOCVD tend à produire des matériaux aux dimensions des wafers de manière plus régulière que le CVD traditionnel.

La croissance par CVD est utilisée plus souvent que l'exfoliation mécanique malgré sa plus grande complexité car elle permet d'obtenir des monocouches de 5 à 100 µm de diamètre là où l'exfoliation mécanique ne dépasse pas 10 µm[28]. Ces monocouches sont également plus uniformes, pratiquement dépourvues de zones multicouches alors que l'exfoliation mécanique produit des paillettes portant de nombreuses zones multicouches[23],[26]. Des techniques de croissance à confinement géométrique ont également permis d'obtenir des monocouches de TMD monodomaine atteignant, avec leurs hétérostructures, les dimensions d'un wafer[29].

Épitaxie par jet moléculaire

L'épitaxie par jet moléculaire (MBE) est une technique éprouvée pour la croissance de couches minces monocristallines de composants semiconducteurs nécessitant un contrôle étroit de l'épaisseur de la couche déposée. La MBE permet de faire croître divers dichalcogénures de métaux de transition tels que le diséléniure de molybdène MoSe2, le diséléniure de tungstène WSe2, et des dichalogénures des premiers métaux de transition de la 4e période du tableau périodique, notamment les tellurures de titane TiTe2, de vanadium VTe2 et de chrome CrTe2[30],[31],[32] qui permet d'obtenir des composants très propres d'une épaisseur variant d'à peine 0,5 monocouche[30],[32].

La croissance a lieu sous ultravide (UHV). Les précurseurs des matériaux cibles sont placés dans des cellules d'évaporation, généralement sous forme de poudre (comme le sélénium) ou de tige (comme le molybdène)[30]. Certains éléments tels que le sélénium et le tellure, qui sont deux chalcogènes, peuvent être utilisés comme précurseurs sous forme solide pure. D'autres éléments, en revanche, doivent être dissociés de composés solides, comme le soufre à partir du disulfure de fer FeS2. Ces composés sont décomposés par chauffage sous ultravide[33]. Les cellules d'évaporation sont soit des cellules de Knudsen (en), soit des cellules d'évaporation par faisceau d'électrons, en fonction des matériaux. L'évaporation par faisceau d'électrons fonctionne sur les tiges et peut être utilisée pour atteindre des températures élevées dans surchauffer les éléments chauffants tandis que les cellules de Knudsen conviennent aux poudres et aux matériaux qui s'évaporent à température plus basse. Les matériaux évaporés sont ensuite dirigés vers le substrat, dont des exemples usuels sont le disulfure de molybdène MoS2, le graphite HOPG (en), les micas et l'alumine Al2O3[30],[31],[32],[34]. On choisit un substrat précis en fonction de la croissance qu'on souhaite réaliser. Le substrat est maintenu à une température généralement comprise entre 300 et 700 °C pendant le processus pour faciliter la croissance. La température du substrat est un paramètre de croissance important qui peut être modulé pour faire croître différentes phases d'un même matériau, par exemple 1T et 2H[30].

L'épitaxie par jet moléculaire présente certains avantages par rapport au dépôt chimique en phase vapeur et à l'exfoliation manuelle. La croissance peut être mesurée in situ par diffraction d'électrons de haute énergie en incidence rasante (RHEED), ce qui permet, grâce notamment aux conditions d'ultravide et à la vitesse de croissance réduite, de déposer des monocouches pures d'épaisseur atomique[30],[35]. Cela donne des matériaux de qualité bien meilleure que par exfoliation, car la MBE réduit les impuretés et la formation de grosses paillettes. Contrairement au CVD, la MBE s'avère bénéfique aux applications nécessitant des TMD monocouches[32],[35]. L'inconvénient de la MBE est sa complexité, qui met en œuvre de nombreux équipements spécialisés. L'ultravide est difficile à maintenir et les matériaux sont produits plus lentement.

Dépôt électrochimique

Le dépôt électrochimique est l'une des techniques qui ont émergé pour produire des semiconducteurs en dichalcogénures de métaux de transition tels que MoS2, WS2 et WSe2. Elle permet de contrôler la croissance de couches TMD jusqu'à une monocouche[36],[37],[38],[39]. Les matériaux déposés sont très uniformes mais nécessitent généralement des températures de recuit supérieures à 500 °C. Des couches de TMD ont été décrites sur des couches minces conductrices tels que le graphène et le nitrure de titane TiN et sur un isolant tel que le dioxyde de silicium SiO2 par croissance latérale à partir d'une surface conductrice[40].

Structure des bandes électroniques

Écarts théoriques d'énergie par couplage spin-orbite[41],[42]
Bande de
valence 		Bande de
conduction
MoS2 0,148 eV 0,003 eV
WS2 0,430 eV 0,026 eV
MoSe2 0,184 eV 0,007 eV
WSe2 0,466 eV 0,038 eV
MoTe2 0,219 eV 0,034 eV

Les dichalcogénures de métaux de transition massifs sont des semiconducteurs à gap indirect au centre de la zone de Brillouin, tandis que les monocouches sont à gap direct avec les limites de la bande de valence et de la bande de conduction sur les points critiques K[2],[43].

Les TMD contiennent des atomes assez lourds dont les couches électroniques externes sont des orbitales d qui présentent un fort couplage spin-orbite, lequel lève la dégénérescence des spins dans les bandes de conduction et de valence, c'est-à-dire qu'il induit un fort écart d'énergie entre les états de spin ↑ et ↓. Dans le cas du disulfure de molybdène MoS2, l'écart d'énergie par couplage spin-orbite dans la bande de conduction est de l'ordre du milliélectron-volt (meV) mais devrait être plus élevé dans d'autres matériaux tels que le disulfure de tungstène WS2[44],[45],[46]. L'écart d'énergie par couplage spin-orbite dans la bande de valence est de l'ordre de quelques centaines de meV.

La spintronique cherche à contrôler le degré de liberté de charge ou de spin des porteurs de charge permettant de concevoir de nouveaux composants. Il est possible de confiner les porteurs dans l'une des « vallées » formées par les extrema, s'ils existent, des bandes de conduction et de valence dans l'espace réciproque. Les techniques de contrôle de l'indice de vallée K des porteurs sont parfois appelées valléetronique (en)[20],[47]. Dans certaines monocouches de dichalcogénures de métaux de transition, la symétrie de partie est brisée et il n'y a plus de centre d'inversion. Les vallées K de directions différentes dans la zone de Brillouin hexagonale bidimensionnelle ne sont plus équivalentes et on distingue la vallée K+ et la vallée K−. La transformation d'une vallée en une autre est décrite par l'opérateur de symétrie T, et les symétries des cristaux donnent des règles de sélection optiques qui dépendent des vallées : un photon polarisé circulairement à droite (σ+) génère un porteur dans la vallée K+ tandis qu'un photon polarisé circulairement à gauche (σ−) génère un porteur dans la vallée K−[7].

Les deux propriétés ci-dessus (couplage spin-orbite et règles de sélection optiques) permettent à un laser de polarisation et d'énergie spécifiques d'initialiser les états de vallée (K+ ou K−) et de spin (↑ ou ↓)[1].

Absorption et émission de photons

Une monocouche de TMD peut, dans certains cas, absorber jusqu'à 20 % de l'énergie électromagnétique incidente[5], ce qui est remarquable pour un matériau aussi mince. L'absorption d'un photon d'énergie appropriée par une monocouche de TMD injecte un électron dans la bande de conduction en laissant un trou dans la bande de valence, le trou étant une quasi-particule de charge électrique opposée à celle de l'électron. Électron et trou, de charges électriques opposées, sont attirés l'un par l'autre sous l'effet de l'attraction coulombienne pour former un état lié appelé exciton, quasi-particule qui se comporte comme un boson. L'écrantage diélectrique réduit et les effets quantiques induits par le confinement des porteurs dans un matériau bidimensionnel renforcent sensiblement l'énergie de liaison des excitons par rapport aux semiconducteurs massifs, les quatre principaux matériaux TMD ayant des énergies de liaison de plusieurs meV[19],[48],[49],[50],[51].

Les niveaux d'énergie d'un exciton peuvent dans une certaine mesure être décrits comme ceux d'un atome hydrogénoïde avec un « état fondamental » correspondant au premier état lié (n = 1) et un « état vide » correspondant à un exciton recombiné (« n = 0 », l'électron a comblé le trou et l'exciton a disparu), la différence entre ces deux niveau d'énergie étant appelé gap optique ou bande interdite optique et correspondant à l'énergie des photons émis lors de la recombinaison des excitons depuis leur premier état lié. Ces photons s'observent sous la forme de pics d'émission très intenses dans les expériences de photoluminescence menées sur des TMD monocouches. L'énergie de liaison EB d'un exciton correspond à la différence d'énergie entre l'état libre de l'électron et l'énergie de son état lié, ce qui correspond à l'énergie nécessaire pour dissocier l'exciton. Il existe des états liés d'énergie supérieure à n = 1, qui peuvent être observés avec des techniques adaptées[19],[49].

L'écart spin-orbite dans la bande de valence induit l'existence de deux séries distinctes d'excitons dans les TMD monocouches, appelés excitons A et B selon que le trou se trouve respectivement dans la branche supérieure ou inférieure de la bande de valence : le gap optique des excitons A est donc inférieur à celui des excitons B, plus profonds dans la structure de bandes du matériau, de sorte que le pic de photoluminscence des excitons A se trouve à une longueur d'onde supérieure à celui des excitons B. Les excitons C, quant à eux, présentent des énergies encore plus élevées provenant d'états liés avec n > 1, voire d'effets du champ cristallin[53],[54],[55],[56],[57].

Les spectres de photoluminescence de TMD monocouches présentent généralement un autre pic provenant d'autres quasi-particules appelées trions (en)[58],[59], qui résultent de l'interaction entre un exciton et un porteur de charge, électron ou trou. Un trion est donc chargé positivement ou négativement. La présence d'un pic intense lié aux trions dans un spectre de photoluminescence, pic qui peut être plus intense que le pic de recombinaison des excitons, est le signe d'un dopage de la monocouche. Ce dopage est considéré comme extrinsèque, c'est-à-dire comme émanant du substrat, généralement le dioxyde de silicium SiO2. Insérer la monocouche de TMD entre deux paillettes de nitrure de bore hexagonal lève ce dopage extrinsèque est améliore sensiblement la qualité optique du TMD 2D[52],[60].

Il est possible d'observer des biexcitons (en) dans des TMD monocouches à des puissances d'excitation plus élevées, c'est-à-dire des quasi-particules formées de deux excitons en interaction[61],[62].

Propriétés

Électroniques

Représentation en coupe d'un FET en MoS2.

Les matériaux bidimensionnels n'ont pas les mêmes propriétés électroniques que les matériaux massifs. Ainsi, le graphène présente une mobilité des porteurs très élevée avec comme corrolaire une très faible dissipation thermique par effet Joule, mais il n'a pas de bande interdite, ce qui ne permet pas de l'utiliser pour réaliser des transistors. Les monocouches de dichalcogénures de métaux de transition ont des mobilités plus faibles, comparables à celle du silicium mais ont une bande interdite et une bonne stabilité structurelle, ce qui les qualifie pour la réalisation de transistors.

La mobilité électronique des TMD 2D est inférieure à celle des TMD massifs en raison probablement de la plus grande sensibilité des matériaux bidimensionnels aux dommages structurels ; on a montré que la protection d'une monocouche de TMD avec un revêtement d'oxyde d'hafnium(IV) HfO2 ou de nitrure de bore hexagonal hBN améliore la mobilité effective des porteurs[63].

Optiques

Représentation en coupe d'un photodétecteur ultrasensible en monocouche de MoS2[5].

Un semiconducteur peut absorber des photons dont l'énergie est supérieure ou égale à la largeur de sa bande interdite, ce qui signifie l'absorption des longueurs d'onde inférieures. Il peut également émettre des photons de manière efficace s'il est à gap direct. Les TMD massifs sont à gap indirect, de sorte que ce sont des émetteurs de photons moins efficaces que les monocouches de TMD, qui sont à gap direct. Le rapport d'efficacité entre les matériaux TMD massifs et bidimensionnels est de l'ordre de 104 en faveur de ces derniers[4]. Les TMD monocouches ont des bandes interdites dont la largeur correspond au spectre visible, entre 400 et 700 nm. L'émission directe présente deux transitions excitoniques appelées A et B, séparées par l'énergie de couplage spin-orbite. L'émission A correspond à une énergie inférieure à celle de l'émission B, mais a par conséquent une intensité supérieure[2],[48].

Énergies théoriques des excitons A et B[64]
A B
MoS2 1,78 eV 695 nm 1,96 eV 632 nm
MoSe2 1,50 eV 825 nm 1,75 eV 708 nm
MoTe2 1,06 eV 1 170 nm 1,36 eV 912 nm
WS2 1,84 eV 673 nm 2,28 eV 544 nm
WSe2 1,52 eV 815 nm 2,00 eV 620 nm

Des monocouches de disulfure de molybdène MoS2 peuvent permettre de réaliser des phototransistors et des photodétecteurs ultrasensibles. Le premier phototransistor en monocouche de MoS2 avait une photoréactivité de 7,5 mA/W, semblable à celle du graphène, qui vaut 6,1 mA/W. Les réalisations en MoS2 multicouches présentent des photoréactivités plus élevées, de l'ordre de 100 mA/W, semblables aux composants en silicium. Le dépôt d'un contact en or sur les extrémités d'une monocouche permet d'obtenir un photodétecteur ultrasensible, avec une photoréactivité atteignant 880 A/W à 561 nm précisément en raison de la minceur de la monocouche[5].

Mécaniques

Les propriétés mécaniques particulières des monocouches de dichalcogénures de métaux de transition par rapport à la forme massive de ces matériaux sont illustrées par l'utilisation de TMD 2D tels que le disulfure de molybdène MoS2, le disulfure de tungstène WS2 et le diséléniure de tungstène WSe2 en électronique flexible (en) pour tirer profit de leur gap direct[65]. Il est bien plus difficile de déformer uniformément des matériaux bidimensionnels que des matériaux massifs, ce qui rend également plus difficile la mesure des propriétés mécaniques des monocouches.

La nanoindentation permet de réaliser ces mesures en plaçant la monocouche sur un substrat troué et en la déformant avec le cantilever d'un microscope à force atomique pour mesurer le déplacement en fonction de la force appliquée[66]. Une mesure réalisée avec cette technique a montré que des monocouches de MoS2 exfoliées mécaniquement et ne présentant pas de défaut ont un module d'Young de 270 GPa avec une déformation de 10 % avant rupture[67]. La même étude a mesuré des paillettes de MoS2 bicouches exfoliées mécaniquement avec un module d'Young de seulement 200 GPa, ce qu'on attribue à un glissement entre les couches et à des défauts dans les couches. La raideur des paillettes MoS2 multicouches exfoliées mécaniquement croît ensuite, avec une valeur de 330 GPa pour des paillettes de 5 à 25 couches[68]. Des mesures semblables sur des paillettes de WSe2 de 5 à 14 couches exfoliées mécaniquement donnent un module d'Young de 167 GPa avec une déformation maximale de 7 %[69]. Des paillettes de WS2 monocouche obtenues par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ont été mesurées avec un module d'Young de 272 GPa[70], la même étude donnant pour des paillettes de MoS2 monocouches déposées par CVD un mode d'Young de 264 GPa, très proche de la valeur pour le MoS2 monocouche exfolié mécaniquement.

L'application d'une contrainte induit la diminution de la largeur de bande interdite plus ou moins linéaire en fonction de la contrainte[71]. Le gap indirect décroît plus vite que le gap direct ce qui entraîne un croisement des bandes interdites à un niveau de contrainte de l'ordre de 1 %[72]. L'efficacité d'émission des monocouches de TMD devrait par conséquent décroître dans les composants très déformés[73], ce qui permet d'envisager un réglage mécanique des propriétés électroniques de ces matériaux.

Notes et références

  1. ↑ a et b (en) Ali Eftekhari, « Tungsten dichalcogenides (WS2, WSe2, and WTe2): materials chemistry and applications », Journal of Materials Chemistry A, vol. 5, no 35,‎ , p. 18299-18325 (DOI 10.1039/c7ta04268j, lire en ligne).
  2. ↑ a b et c (en) Andrea Splendiani, Liang Sun, Yuanbo Zhang, Tianshu Li, Jonghwan Kim, Chi-Yung Chim, Giulia Galli et Feng Wang, « Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2 », Nano Letters, vol. 10, no 4,‎ , p. 1271-1275 (PMID 20229981, DOI 10.1021/nl903868w, Bibcode 2010NanoL..10.1271S, lire en ligne).
  3. ↑ (en) B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti et A. Kis, « Single-layer MoS2 transistors », Nature Nanotechnology, vol. 6, no 3,‎ , p. 147-150 (PMID 21278752, DOI 10.1038/nnano.2010.279, Bibcode 2011NatNa...6..147R, lire en ligne).
  4. ↑ a et b (en) R. S. Sundaram, M. Engel, A. Lombardo, R. Krupke, A. C. Ferrari, Ph. Avouris et M. Steiner, « Electroluminescence in Single Layer MoS2 », Nano Letters, vol. 13, no 4,‎ , p. 1416-1421 (PMID 23514373, DOI 10.1021/nl400516a, Bibcode 2013NanoL..13.1416S, arXiv 1211.4311, S2CID 207581247, lire en ligne).
  5. ↑ a b c et d (en) Oriol Lopez-Sanchez, Dominik Lembke, Metin Kayci, Aleksandra Radenovic et Andras Kis, « Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS2 », Nature Nanotechnology, vol. 8, no 7,‎ , p. 497-501 (PMID 23748194, DOI 10.1038/nnano.2013.100, Bibcode 2013NatNa...8..497L, lire en ligne).
  6. ↑ (en) A. Rycerz, J. Tworzydło et C. W. J. Beenakker, « Valley filter and valley valve in graphene », Nature Physics, vol. 3, no 3,‎ , p. 172-175 (DOI 10.1038/nphys547, Bibcode 2007NatPh...3..172R, arXiv 0608533, S2CID 119377206, lire en ligne Accès libre).
  7. ↑ a et b (en) Ting Cao, Gang Wang, Wenpeng Han, Huiqi Ye, Chuanrui Zhu, Junren Shi, Qian Niu, Pingheng Tan, Enge Wang, Baoli Liu et Ji Feng, « Valley-selective circular dichroism of monolayer molybdenum disulphide », Nature Communications, vol. 3,‎ , article no 887 (PMID 22673914, PMCID 3621397, DOI 10.1038/ncomms1882, Bibcode 2012NatCo...3..887C, arXiv 1112.4013, lire en ligne Accès libre).
  8. ↑ (en) Kin Fai Mak, Keliang He, Jie Shan et Tony F. Heinz, « Control of valley polarization in monolayer MoS2 by optical helicity », Nature Nanotechnology, vol. 7, no 8,‎ , p. 494-498 (PMID 22706698, DOI 10.1038/nnano.2012.96, Bibcode 2012NatNa...7..494M, arXiv 1205.1822, S2CID 23248686, lire en ligne).
  9. ↑ a et b (en) Hualing Zeng, Junfeng Dai, Wang Yao, Di Xiao et Xiaodong Cui, « Valley polarization in MoS2 monolayers by optical pumping », Nature Nanotechnology, vol. 7, no 8,‎ , p. 490-493 (PMID 22706701, DOI 10.1038/nnano.2012.95, Bibcode 2012NatNa...7..490Z, S2CID 13228054, lire en ligne).
  10. ↑ (en) J. A. Reyes-Retana et F. Cervantes-Sodi, « Spin-orbital effects in metal-dichalcogenide semiconducting monolayers », Scientific Reports, vol. 6,‎ , article no 24093 (PMID 27094967, PMCID 4837337, DOI 10.1038/srep24093, Bibcode 2016NatSR...624093R, lire en ligne Accès libre).
  11. ↑ (en) G. Sallen, L. Bouet, X. Marie, G. Wang, C. R. Zhu, W. P. Han, Y. Lu, P. H. Tan, T. Amand, B. L. Liu et B. Urbaszek, « Robust optical emission polarization in MoS2 monolayers through selective valley excitation », Physical Review B, vol. 86, no 8,‎ , article no 081301 (DOI 10.1103/PhysRevB.86.081301, Bibcode 2012PhRvB..86h1301S, arXiv 1206.5128, S2CID 62890713, lire en ligne).
  12. ↑ (en) Sajid Husain, Abhishek Kumar, Prabhat Kumar, Ankit Kumar, Vineet Barwal, Nilamani Behera, Sudhanshu Choudhary, Peter Svedlindh et Sujeet Chaudhary, « Spin pumping in the Heusler alloy Co2FeAl/MoS2 heterostructure: Ferromagnetic resonance experiment and theory », Physical Review B, vol. 98, no 18,‎ , article no 180404 (DOI 10.1103/PhysRevB.98.180404, Bibcode 2018PhRvB..98r0404H, S2CID 125218447, lire en ligne).
  13. ↑ (en) Sajid Husain, Rahul Gupta, Ankit Kumar, Prabhat Kumar, Nilamani Behera, Rimantas Brucas, Sujeet Chaudhary et Peter Svedlindh, « Emergence of spin–orbit torques in 2D transition metal dichalcogenides: A status update », Applied Physics Reviews, vol. 7, no 4,‎ , article no 041312 (DOI 10.1063/5.0025318, Bibcode 2020ApPRv...7d1312H, S2CID 230546779, lire en ligne).
  14. ↑ (en) Natalie Briggs, Shruti Subramanian, Zhong Lin, Xufan Li, Xiaotian Zhang, Kehao Zhang, Kai Xiao, David Geohegan, Robert Wallace, Long-Qing Chen, Mauricio Terrones, Aida Ebrahimi, Saptarshi Das, Joan Redwing, Christopher Hinkle, Kasra Momeni, Adri van Duin, Vin Crespi, Swastik Kar et Joshua A Robinson, « A roadmap for electronic grade 2D materials », 2D Materials, vol. 6, no 2,‎ , article no 022001 (DOI 10.1088/2053-1583/aaf836, Bibcode 2019TDM.....6b2001B, S2CID 188118830, lire en ligne).
  15. ↑ (en) Suk Hyun Sung, Noah Schnitzer, Lola Brown, Jiwoong Park et Robert Hovden, « Stacking, strain, and twist in 2D materials quantified by 3D electron diffraction », Physical Review Materials, vol. 3, no 6,‎ , article no 064003 (DOI 10.1103/PhysRevMaterials.3.064003, Bibcode 2019PhRvM...3f4003S, arXiv 1905.11354, S2CID 166228311, lire en ligne).
  16. ↑ (en) Nardeep Kumar, Sina Najmaei, Qiannan Cui, Frank Ceballos, Pulickel M. Ajayan, Jun Lou et Hui Zhao, « Second harmonic microscopy of monolayer MoS2 », Physical Review B, vol. 87, no 16,‎ , article no 161403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.161403, Bibcode 2013PhRvB..87p1403K, S2CID 1796583, lire en ligne).
  17. ↑ (en) Leandro M. Malard, Thonimar V. Alencar, Ana Paula M. Barboza, Kin Fai Mak et Ana M. de Paula, « Observation of intense second harmonic generation from MoS2 atomic crystals », Physical Review B, vol. 87, no 20,‎ , article no 201401 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.201401, Bibcode 2013PhRvB..87t1401M, arXiv 1304.4289, S2CID 118392637, lire en ligne).
  18. ↑ (en) Hualing Zeng, Gui-Bin Liu, Junfeng Dai, Yajun Yan, Bairen Zhu, Ruicong He, Lu Xie, Shijie Xu, Xianhui Chen, Wang Yao et Xiaodong Cui, « Optical signature of symmetry variations and spin-valley coupling in atomically thin tungsten dichalcogenides », Scientific Reports, vol. 3,‎ , article no 1608 (PMID 23575911, PMCID 3622914, DOI 10.1038/srep01608, Bibcode 2013NatSR...3E1608Z, arXiv 1208.5864, lire en ligne Accès libre).
  19. ↑ a b et c (en) G. Wang, X. Marie, I. Gerber, T. Amand, D. Lagarde, L. Bouet, M. Vidal, A. Balocchi et B. Urbaszek, « Giant Enhancement of the Optical Second-Harmonic Emission of WSe2 Monolayers by Laser Excitation at Exciton Resonances », Physical Review Letters, vol. 114, no 9,‎ , article no 097403 (PMID 25793850, DOI 10.1103/PhysRevLett.114.097403, Bibcode 2015PhRvL.114i7403W, S2CID 25293516, lire en ligne).
  20. ↑ a et b (en) Di Xiao, Gui-Bin Liu, Wanxiang Feng, Xiaodong Xu et Wang Yao, « Coupled Spin and Valley Physics in Monolayers of MoS2 and Other Group-VI Dichalcogenides », Physical Review Letters, vol. 108, no 19,‎ , article no 196802 (PMID 23003071, DOI 10.1103/PhysRevLett.108.196802, Bibcode 2012PhRvL.108s6802X, arXiv 1112.3144, S2CID 13621082, lire en ligne Accès libre).
  21. ↑ (en) Aaron M. Jones, Hongyi Yu, Nirmal J. Ghimire, Sanfeng Wu, Grant Aivazian, Jason S. Ross, Bo Zhao, Jiaqiang Yan, David G. Mandrus, Di Xiao, Wang Yao et Xiaodong Xu, « Optical generation of excitonic valley coherence in monolayer WSe2 », Nature Nanotechnology, vol. 8, no 9,‎ , p. 634-638 (PMID 23934096, DOI 10.1038/nnano.2013.151, Bibcode 2013NatNa...8..634J, arXiv 1303.5318, S2CID 7090218, lire en ligne).
  22. ↑ (en) Xiaodong Xu, Wang Yao, Di Xiao et Tony F. Heinz, « Spin and pseudospins in layered transition metal dichalcogenides », Nature Physics, vol. 10, no 5,‎ , p. 343-350 (DOI 10.1038/nphys2942, Bibcode 2014NatPh..10..343X, S2CID 85510443, lire en ligne).
  23. ↑ a et b (en) K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov et A. K. Geim, « Two-dimensional atomic crystals », Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, vol. 102, no 30,‎ , p. 10451-10453 (PMID 16027370, PMCID 1180777, DOI 10.1073/pnas.0502848102, Bibcode 2005PNAS..10210451N, arXiv 0503533, lire en ligne Accès libre).
  24. ↑ (en) Jonathan N. Coleman , Mustafa Lotya, Arlene O’Neill, Shane D. Bergin, Paul J. King, Umar Khan, Karen Young, Alexandre Gaucher, Sukanta De, Ronan J. Smith, Igor V. Shvets, Sunil K. Arora, George Stanton, Hye-Young Kim, Kangho Lee, Gyu Tae Kim, Georg S. Duesberg, Toby Hallam, John J. Boland, Jing Jing Wang, John F. Donegan, Jaime C. Grunlan, Gregory Moriarty, Aleksey Shmeliov, Rebecca J. Nicholls, James M. Perkins, Eleanor M. Grieveson, Koenraad Theuwissen, David W. McComb, Peter D. Nellist et Valeria Nicolosi, « Two-Dimensional Nanosheets Produced by Liquid Exfoliation of Layered Materials », Science, vol. 331, no 6017,‎ , p. 568-571 (PMID 21292974, DOI 10.1126/science.1194975, Bibcode 2011Sci...331..568C, hdl 2262/66458, S2CID 23576676, lire en ligne).
  25. ↑ (en) Jiadong Zhou, Junhao Lin, Xiangwei Huang, Yao Zhou, Yu Chen, Juan Xia, Hong Wang, Yu Xie, Huimei Yu, Jincheng Lei, Di Wu, Fucai Liu, Qundong Fu, Qingsheng Zeng, Chuang-Han Hsu, Changli Yang, Li Lu, Ting Yu, Zexiang Shen, Hsin Lin, Boris I. Yakobson, Qian Liu, Kazu Suenaga, Guangtong Liu et Zheng Liu, « A library of atomically thin metal chalcogenides », Nature, vol. 556, no 7701,‎ , p. 355-359 (PMID 29670263, DOI 10.1038/s41586-018-0008-3, Bibcode 2018Natur.556..355Z, hdl 10356/84198, S2CID 4945645, lire en ligne).
  26. ↑ a b et c (en) Se-Yang Kim, Jinsung Kwak, Cristian V. Ciobanu, Soon-Yong Kwon, « Recent Developments in Controlled Vapor-Phase Growth of 2D Group 6 Transition Metal Dichalcogenides », Advanced Materials, vol. 31, no 20,‎ , article no 1804939 (PMID 30706541, DOI 10.1002/adma.201804939, Bibcode 2019AdM....3104939K, lire en ligne).
  27. ↑ (en) Yumeng Shi, Henan Li et Lain-Jong Li, « Recent advances in controlled synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenides via vapour deposition techniques », Chemical Society Reviews, vol. 44, no 9,‎ , p. 2744-2756 (PMID 25327436, DOI 10.1039/c4cs00256c, lire en ligne).
  28. ↑ (en) Yi-Hsien Lee, Xin-Quan Zhang, Wenjing Zhang, Mu-Tung Chang, Cheng-Te Lin, Kai-Di Chang, Ya-Chu Yu, Jacob Tse-Wei Wang, Chia-Seng Chang, Lain-Jong Li et Tsung-Wu Lin, « Synthesis of Large-Area MoS2 Atomic Layers with Chemical Vapor Deposition », Advanced Materials, vol. 24, no 17,‎ , p. 2320-2325 (PMID 22467187, DOI 10.1002/adma.201104798, Bibcode 2012AdM....24.2320L, arXiv 1202.5458, S2CID 11713759, lire en ligne).
  29. ↑ (en) Ki Seok Kim, Doyoon Lee, Celesta S. Chang, Seunghwan Seo, Yaoqiao Hu, Soonyoung Cha, Hyunseok Kim, Jiho Shin, Ju-Hee Lee, Sangho Lee, Justin S. Kim, Ki Hyun Kim, Jun Min Suh, Yuan Meng, Bo-In Park, Jung-Hoon Lee, Hyung-Sang Park, Hyun S. Kum, Moon-Ho Jo, Geun Young Yeom, Kyeongjae Cho, Jin-Hong Park, Sang-Hoon Bae et Jeehwan Kim, « Non-epitaxial single-crystal 2D material growth by geometric confinement », Nature, vol. 614, no 7946,‎ , p. 88-94 (PMID 36653458, DOI 10.1038/s41586-022-05524-0, Bibcode 2023Natur.614...88K, S2CID 255970742, lire en ligne).
  30. ↑ a b c d e et f (en) Yaxu Wei, Chunguang Hu, Yanning Li, Xiaotang Hu, Kaihao Yu, Litao Sun, Michael Hohage et Lidong Sun, « Initial stage of MBE growth of MoSe2 monolayer », Nanotechnology, vol. 31, no 31,‎ , article no 315710 (PMID 32272461, DOI 10.1088/1361-6528/ab884b, Bibcode 2020Nanot..31E5710W, S2CID 215727487, lire en ligne).
  31. ↑ a et b (en) Kinga Lasek, Paula Mariel Coelho, Krzysztof Zberecki, Yan Xin, Sadhu K. Kolekar, Jingfeng Li et Matthias Batzill, « Molecular Beam Epitaxy of Transition Metal (Ti-, V-, and Cr-) Tellurides: From Monolayer Ditellurides to Multilayer Self-Intercalation Compounds », CAS Nano, vol. 14, no 7,‎ , p. 8473-8484 (PMID 32584543, DOI 10.1021/acsnano.0c02712, S2CID 220074214, lire en ligne).
  32. ↑ a b c et d (en) Masaki Nakano, Yue Wang, Yuta Kashiwabara, Hideki Matsuoka et Yoshihiro Iwasa, « Layer-by-Layer Epitaxial Growth of Scalable WSe2 on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy », Nano Letters, vol. 17, no 9,‎ , p. 5595-5599 (PMID 28849935, DOI 10.1021/acs.nanolett.7b02420, Bibcode 2017NanoL..17.5595N, arXiv 1709.02912, S2CID 206742437, lire en ligne).
  33. ↑ (en) Joshua Hall, Borna Pielić, Clifford Murray, Wouter Jolie, Tobias Wekking, Carsten Busse, Marko Kralj et Thomas Michely, « Molecular beam epitaxy of quasi-freestanding transition metal disulphide monolayers on van der Waals substrates: a growth study », 2D Materials, vol. 5, no 2,‎ , article no 025005 (DOI 10.1088/2053-1583/aaa1c5, Bibcode 2018TDM.....5b5005H, S2CID 103289660, lire en ligne).
  34. ↑ (en) Tanushree H. Choudhury, Xiaotian Zhang, Zakaria Y. Al Balushi, Mikhail Chubarov et Joan M. Redwing, « Epitaxial Growth of Two-Dimensional Layered Transition Metal Dichalcogenides », Annual Review of Materials Research, vol. 50,‎ , p. 155-177 (DOI 10.1146/annurev-matsci-090519-113456, Bibcode 2020AnRMS..50..155C, arXiv 1909.03502, S2CID 202540441, lire en ligne).
  35. ↑ a et b (en) Deependra Kumar Singh et Govind Gupta, « van der Waals epitaxy of transition metal dichalcogenides via molecular beam epitaxy: looking back and moving forward », Materials Advances, vol. 3, no 15,‎ , p. 6142-6156 (DOI 10.1039/D2MA00352J, S2CID 250156491, lire en ligne).
  36. ↑ (en) Y. J. Noori, S. Thomas, S. Ramadan, V. K. Greenacre, N. M. Abdelazim, Y. Han, J. Zhang, R. Beanland, A. L. Hector, N. Klein, G. Reid, P. N. Bartlett et C. H. de Groot, « Electrodeposited WS2 monolayers on patterned graphene », 2D Materials, vol. 9, no 1,‎ , article no 015025 (DOI 10.1088/2053-1583/ac3dd6, Bibcode 2022TDM.....9a5025N, arXiv 2109.00083, S2CID 244693600, lire en ligne).
  37. ↑ (en) Yasir J. Noori, Shibin Thomas, Sami Ramadan, Danielle E. Smith, Vicki K. Greenacre, Nema Abdelazim, Yisong Han, Richard Beanland, Andrew L. Hector, Norbert Klein, Gillian Reid, Philip N. Bartlett et C. H. Kees de Groot, « Large-Area Electrodeposition of Few-Layer MoS2 on Graphene for 2D Material Heterostructures », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 12, no 44,‎ , p. 49786-49794 (PMID 33079533, DOI 10.1021/acsami.0c14777, arXiv 2005.08616, S2CID 224828493, lire en ligne).
  38. ↑ (en) Xi Wan, Kun Chen, Zefeng Chen, Fangyan Xie, Xiaoliang Zeng, Weiguang Xie, Jian Chen et Jianbin Xu, « Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors », Advanced Functional Materials, vol. 27, no 19,‎ , article no 1603998 (DOI 10.1002/adfm.201603998, S2CID 100120486, lire en ligne).
  39. ↑ (en) Shibin Thomas, Danielle E. Smith, Victoria K. Greenacre, Yasir J. Noori, Andrew L. Hector, C. H. (Kees) de Groot, Gillian Reid et Philip N. Bartlett, « Electrodeposition of MoS2 from Dichloromethane », Journal of The Electrochemical Society, vol. 167, no 10,‎ , article no 106511 (DOI 10.1149/1945-7111/ab9c88, Bibcode 2020JElS..167j6511T, S2CID 225720683, lire en ligne).
  40. ↑ (en) Nema M. Abdelazim, Yasir J. Noori, Shibin Thomas, Victoria K. Greenacre, Yisong Han, Danielle E. Smith, Giacomo Piana, Nikolay Zhelev, Andrew L. Hector, Richard Beanland, Gillian Reid, Philip N. Bartlett et Cornelis H. de Groot, « Lateral Growth of MoS2 2D Material Semiconductors Over an Insulator Via Electrodeposition », Advanced Electronic Materials, vol. 7, no 9,‎ , article no 2100419 (DOI 10.1002/aelm.202100419, S2CID 232478824, lire en ligne Accès libre).
  41. ↑ (en) Y. C. Cheng, Z. Y. Zhu, M. Tahir et U. Schwingenschlögl, « Spin-orbit–induced spin splittings in polar transition metal dichalcogenide monolayers », Europhysics Letters, vol. 102, no 5,‎ , article no 57001 (DOI 10.1209/0295-5075/102/57001, Bibcode 2013EL....10257001C, S2CID 121978058, lire en ligne).
  42. ↑ (en) Gui-Bin Liu, Wen-Yu Shan, Yugui Yao, Wang Yao et Di Xiao, « Three-band tight-binding model for monolayers of group-VIB transition metal dichalcogenides », Physical Review B, vol. 88, no 8,‎ , article no 085433 (DOI 10.1103/PhysRevB.88.085433, Bibcode 2013PhRvB..88h5433L, arXiv 1305.6089, S2CID 119111681, lire en ligne).
  43. ↑ (en) Kin Fai Mak, Changgu Lee, James Hone, Jie Shan et Tony F. Heinz, « Atomically Thin MoS2: A New Direct-Gap Semiconductor », Physical Review Letters, vol. 105, no 13,‎ , article no 136805 (PMID 21230799, DOI 10.1103/PhysRevLett.105.136805, Bibcode 2010PhRvL.105m6805M, arXiv 1004.0546, S2CID 40589037, lire en ligne).
  44. ↑ (en) Z. Y. Zhu, Y. C. Cheng et U. Schwingenschlögl, « Giant spin-orbit-induced spin splitting in two-dimensional transition-metal dichalcogenide semiconductors », Physical Review B, vol. 84, no 15,‎ , p. 153402 (DOI 10.1103/PhysRevB.84.153402, Bibcode 2011PhRvB..84o3402Z, hdl 10754/315771, lire en ligne).
  45. ↑ (en) K. Kośmider, J. W. González et J. Fernández-Rossier, « Large spin splitting in the conduction band of transition metal dichalcogenide monolayers », Physical Review B, vol. 88, no 24,‎ , article no 245436 (DOI 10.1103/PhysRevB.88.245436, Bibcode 2013PhRvB..88x5436K, arXiv 1311.0049, S2CID 31176688, lire en ligne).
  46. ↑ (en) Andor Kormányos, Viktor Zólyomi, Neil D. Drummond et Guido Burkard, « Spin-Orbit Coupling, Quantum Dots, and Qubits in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides », Physical Review X, vol. 4, no 1,‎ , article no 011034 (DOI 10.1103/PhysRevX.4.011034, Bibcode 2014PhRvX...4a1034K, arXiv 1310.7720, S2CID 17909293, lire en ligne).
  47. ↑ (en) Fabio Bussolotti, Hiroyo Kawai, Zi En Ooi, Vijila Chellappan, Dickson Thian, Ai Lin Christina Pang et Kuan Eng Johnson Goh, « Roadmap on finding chiral valleys: screening 2D materials for valleytronics », Nano Futures, vol. 2, no 3,‎ , article no 032001 (DOI 10.1088/2399-1984/aac9d7, Bibcode 2018NanoF...2c2001B, S2CID 139826293, lire en ligne).
  48. ↑ a et b (en) Diana Y. Qiu, Felipe H. da Jornada et Steven G. Louie, « Optical Spectrum of MoS2: Many-Body Effects and Diversity of Exciton States », Physical Review Letters, vol. 111, no 21,‎ , article no 216805 (PMID 24313514, DOI 10.1103/PhysRevLett.111.216805, Bibcode 2013PhRvL.111u6805Q, arXiv 1311.0963, S2CID 19063715, lire en ligne).
  49. ↑ a et b (en) Alexey Chernikov, Timothy C. Berkelbach, Heather M. Hill, Albert Rigosi, Yilei Li, Burak Aslan, David R. Reichman, Mark S. Hybertsen et Tony F. Heinz, « Exciton Binding Energy and Nonhydrogenic Rydberg Series in Monolayer WS2 », Physical Review Letters, vol. 113, no 7,‎ , article no 076802 (PMID 25170725, DOI 10.1103/PhysRevLett.113.076802, Bibcode 2014PhRvL.113g6802C, arXiv 1403.4270, S2CID 23157872, lire en ligne).
  50. ↑ (en) Ziliang Ye, Ting Cao, Kevin O’Brien, Hanyu Zhu, Xiaobo Yin, Yuan Wang, Steven G. Louie et Xiang Zhang, « Probing excitonic dark states in single-layer tungsten disulphide », Nature, vol. 513, no 7517,‎ , p. 214-218 (PMID 25162523, DOI 10.1038/nature13734, Bibcode 2014Natur.513..214Y, arXiv 1403.5568, S2CID 4461357, lire en ligne).
  51. ↑ (en) Miguel M. Ugeda, Aaron J. Bradley, Su-Fei Shi, Felipe H. da Jornada, Yi Zhang, Diana Y. Qiu, Wei Ruan, Sung-Kwan Mo, Zahid Hussain, Zhi-Xun Shen, Feng Wang, Steven G. Louie et Michael F. Crommie, « Giant bandgap renormalization and excitonic effects in a monolayer transition metal dichalcogenide semiconductor », Nature Materials, vol. 13, no 12,‎ , p. 1091-1095 (PMID 25173579, DOI 10.1038/nmat4061, Bibcode 2014NatMa..13.1091U, arXiv 1404.2331, S2CID 25491405, lire en ligne).
  52. ↑ a et b (en) M. Manca, M. M. Glazov, C. Robert, F. Cadiz, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Courtade, T. Amand, P. Renucci, X. Marie, G. Wang et B. Urbaszek, « Enabling valley selective exciton scattering in monolayer WSe2 through upconversion », Nature Communications, vol. 8,‎ , article no 14927 (PMID 28367962, PMCID 5382264, DOI 10.1038/ncomms14927, Bibcode 2017NatCo...814927M, arXiv 1701.05800, lire en ligne Accès libre).
  53. ↑ (en) M. V. Yakushev, A. V. Rodina, G. M. Shuchalin, R. P. Seisian, M. A. Abdullaev, A. Rockett, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, C. Faugeras et R. W. Martin, « Landau levels of the C-exciton in CuInSe2 studied by magneto-transmission », Applied Physics Letters, vol. 105, no 14,‎ , article no 142103 (DOI 10.1063/1.4897995, Bibcode 2014ApPhL.105n2103Y, lire en ligne Accès libre).
  54. ↑ (en) Lei Wang, Zhuo Wang, Hai-Yu Wang, Gustavo Grinblat, Yu-Li Huang, Dan Wang, Xiao-Hui Ye, Xian-Bin Li, Qiaoliang Bao, AndrewThye-Shen Wee, Stefan A Maier, Qi-Dai Chen, Min-Lin Zhong, Cheng-Wei Qiu et Hong-Bo Sun, « Slow cooling and efficient extraction of C-exciton hot carriers in MoS2 monolayer », Nature Communications, vol. 8,‎ , article no 13906 (PMID 28054546, DOI 10.1038/ncomms13906, Bibcode 2017NatCo...813906W, lire en ligne Accès libre).
  55. ↑ (en) Jiying Feng, Yuanzheng Li, Jixiu Li, Qiushi Feng, Wei Xin, Weizhen Liu, Haiyang Xu et Yichun Liu, « Engineering Relaxation-Paths of C-Exciton for Constructing Band Nesting Bypass in WS2 Monolayer », Nano Letters, vol. 99, no 9,‎ , p. 3699-3706 (PMID 35481760, DOI 10.1021/acs.nanolett.2c00509, Bibcode 2022NanoL..22.3699F, lire en ligne).
  56. ↑ (en) Kory Beach, Michael C. Lucking et Humberto Terrones, « Strain dependence of second harmonic generation in transition metal dichalcogenide monolayers and the fine structure of the 𝐶 exciton », Physical Review B, vol. 101, no 15,‎ , article no 155431 (DOI 10.1103/PhysRevB.101.155431, Bibcode 2020PhRvB.101o5431B, lire en ligne).
  57. ↑ (en) Yuanzheng Li, Xianxin Wu, Weizhen Liu, Haiyang Xu et Xinfeng Liu, « Revealing the interrelation between C- and A-exciton dynamics in monolayer WS2 via transient absorption spectroscopy », Applied Physics Letters, vol. 119, no 5,‎ , article no 051106 (DOI 10.1063/5.0060587, Bibcode 2021ApPhL.119e1106L, lire en ligne).
  58. ↑ (en) Jason S. Ross, Sanfeng Wu, Hongyi Yu, Nirmal J. Ghimire, Aaron M. Jones, Grant Aivazian, Jiaqiang Yan, David G. Mandrus, Di Xiao, Wang Yao et Xiaodong Xu, « Electrical control of neutral and charged excitons in a monolayer semiconductor », Nature Communications, vol. 4,‎ , article no 1474 (PMID 23403575, DOI 10.1038/ncomms2498, Bibcode 2013NatCo...4.1474R, arXiv 1211.0072, S2CID 9872370, lire en ligne Accès libre).
  59. ↑ (en) Kin Fai Mak, Keliang He, Changgu Lee, Gwan Hyoung Lee, James Hone, Tony F. Heinz et Jie Shan, « Tightly bound trions in monolayer MoS2 », Nature Materials, vol. 12, no 3,‎ , p. 207-211 (PMID 23202371, DOI 10.1038/nmat3505, Bibcode 2013NatMa..12..207M, arXiv 1210.8226, S2CID 205408065, lire en ligne).
  60. ↑ (en) F. Cadiz, E. Courtade, C. Robert, G. Wang, Y. Shen, H. Cai, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Carrere, D. Lagarde, M. Manca, T. Amand, P. Renucci, S. Tongay, X. Marie et B. Urbaszek, « Excitonic Linewidth Approaching the Homogeneous Limit in MoS2-Based van der Waals Heterostructures », Physical Review X, vol. 7, no 2,‎ , article no 021026 (DOI 10.1103/PhysRevX.7.021026, Bibcode 2017PhRvX...7b1026C, arXiv 1702.00323, S2CID 55508192, lire en ligne).
  61. ↑ (en) Cong Mai, Andrew Barrette, Yifei Yu, Yuriy G. Semenov, Ki Wook Kim, Linyou Cao et Kenan Gundogdu, « Many-Body Effects in Valleytronics: Direct Measurement of Valley Lifetimes in Single-Layer MoS2 », Nano Letters, vol. 14, no 1,‎ , p. 202-206 (PMID 24325650, DOI 10.1021/nl403742j, Bibcode 2014NanoL..14..202M, lire en ligne).
  62. ↑ (en) Jingzhi Shang, Xiaonan Shen, Chunxiao Cong, Namphung Peimyoo, Bingchen Cao, Mustafa Eginligil et Ting Yu, « Observation of Excitonic Fine Structure in a 2D Transition-Metal Dichalcogenide Semiconductor », ACS Nano, vol. 9, no 1,‎ , p. 647-655 (PMID 25560634, DOI 10.1021/nn5059908, lire en ligne).
  63. ↑ (en) Sajedeh Manzeli, Dmitry Ovchinnikov, Diego Pasquier, Oleg V. Yazyev et Andras Kis, « 2D transition metal dichalcogenides », Nature Reviews Materials, vol. 2, no 8,‎ , article no 17033 (DOI 10.1038/natrevmats.2017.33, Bibcode 2017NatRM...217033M, lire en ligne).
  64. ↑ (en) Ashwin Ramasubramaniam, « Large excitonic effects in monolayers of molybdenum and tungsten dichalcogenides », Physical Review B, vol. 86, no 11,‎ , article no 115409 (DOI 10.1103/PhysRevB.86.115409, Bibcode 2012PhRvB..86k5409R, lire en ligne).
  65. ↑ (en) Deji Akinwande, Nicholas Petrone et James Hone, « Two-dimensional flexible nanoelectronics », Nature Communications, vol. 5,‎ , article no 5678 (PMID 25517105, DOI 10.1038/ncomms6678, Bibcode 2014NatCo...5.5678A, lire en ligne Accès libre).
  66. ↑ (en) Changgu Lee, Xiaoding Wei, Jeffrey W. Kysar et James Hone, « Measurement of the Elastic Properties and Intrinsic Strength of Monolayer Graphene », Science, vol. 321, no 5887,‎ , p. 385-388 (PMID 18635798, DOI 10.1126/science.1157996, Bibcode 2008Sci...321..385L, S2CID 206512830, lire en ligne).
  67. ↑ (en) Simone Bertolazzi, Jacopo Brivio et Andras Kis, « Stretching and Breaking of Ultrathin MoS2 », ACS Nano, vol. 5, no 12,‎ , p. 9703-9709 (PMID 22087740, DOI 10.1021/nn203879f, lire en ligne).
  68. ↑ (en) Andres Castellanos-Gomez, Menno Poot, Gary A. Steele, Herre S. J. van der Zant, Nicolás Agraït et Gabino Rubio-Bollinger, « Elastic Properties of Freely Suspended MoS2 Nanosheets », Advanced Materials, vol. 24, no 6,‎ , p. 772-775 (PMID 22231284, DOI 10.1002/adma.201103965, Bibcode 2012AdM....24..772C, arXiv 1202.4439, S2CID 205243099, lire en ligne).
  69. ↑ (en) Rui Zhang, Vasileios Koutsos et Rebecca Cheung, « Elastic properties of suspended multilayer WSe2 », Applied Physics Letters, vol. 108, no 4,‎ , article no 042104 (DOI 10.1063/1.4940982, Bibcode 2016ApPhL.108d2104Z, hdl 20.500.11820/a69c599d-0b00-4fd5-80bd-1b1493ce56e1, lire en ligne).
  70. ↑ (en) Kai Liu, Qimin Yan, Michelle Chen, Wen Fan, Yinghui Sun, Joonki Suh, Deyi Fu, Sangwook Lee, Jian Zhou, Sefaattin Tongay, Jie Ji, Jeffrey B. Neaton et Junqiao Wu, « Elastic Properties of Chemical-Vapor-Deposited Monolayer MoS2, WS2, and Their Bilayer Heterostructures », Nano Letters, vol. 14, no 9,‎ , p. 5097-5103 (PMID 25120033, DOI 10.1021/nl501793a, Bibcode 2014NanoL..14.5097L, arXiv 1407.2669, S2CID 2136100, lire en ligne).
  71. ↑ (en) Keliang He, Charles Poole, Kin Fai Mak et Jie Shan, « Experimental Demonstration of Continuous Electronic Structure Tuning via Strain in Atomically Thin MoS2 », Nano Letters, vol. 13, no 6,‎ , p. 2931-2936 (PMID 23675872, DOI 10.1021/nl4013166, Bibcode 2013NanoL..13.2931H, arXiv 1305.3673, S2CID 207691793, lire en ligne).
  72. ↑ (en) Hiram J. Conley, Bin Wang, Jed I. Ziegler, Richard F. Haglund, Jr., Sokrates T. Pantelides et Kirill I. Bolotin, « Bandgap Engineering of Strained Monolayer and Bilayer MoS2 », Nano Letters, vol. 13, no 8,‎ , p. 3626-3630 (PMID 23819588, DOI 10.1021/nl4014748, Bibcode 2013NanoL..13.3626C, arXiv 1305.3880, S2CID 8191142, lire en ligne).
  73. ↑ (en) C. R. Zhu, G. Wang, B. L. Liu, X. Marie, X. F. Qiao, X. Zhang, X. X. Wu, H. Fan, P. H. Tan, T. Amand et B. Urbaszek, « Strain tuning of optical emission energy and polarization in monolayer and bilayer MoS2 », Physical Review B, vol. 88, no 12,‎ , article no 121301 (DOI 10.1103/PhysRevB.88.121301, Bibcode 2013PhRvB..88l1301Z, arXiv 1306.3442, S2CID 119269184, lire en ligne).
  • icône décorative Portail des sciences des matériaux
  • icône décorative Portail de la chimie